型号:IRLI640GPBF | 类别:FET - 单 | 制造商:Vishay Siliconix |
封装:TO-220-3 全封装,隔离接片 | 描述:MOSFET N-CH 200V 9.9A TO220FP |
详细参数
类别 | FET - 单 |
---|---|
描述 | MOSFET N-CH 200V 9.9A TO220FP |
系列 | - |
制造商 | Vishay Siliconix |
FET型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 200V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 9.9A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 180 毫欧 @ 5.9A,5V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 2V @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 66nC @ 10V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 1800pF @ 25V |
功率_最大 | 40W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 全封装,隔离接片 |
供应商设备封装 | TO-220-3 |
包装 | 管件 |
供应商
现代芯城(深圳)科技有限公司 | 董0755-82542579 |
深圳市富乐亚科技有限公司 | 郑小姐0755-18503085056 |
深圳市华斯顿电子科技有限公司 | 朱咸华0755-83777708/83777607/82799993 |
深圳市中新永盛科技有限公司 | 朱先生0755-83211840 |
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